高速先生前面零零散散的寫了一些DDR3系列的文章,雖然有小部分的案例說到了問題點(diǎn),但那只是為了引出主題而寫,而且只是點(diǎn)到為止,既然是案例,就要把問題的來龍去脈描述清楚,這個(gè)案例的問題是這樣的: 某客戶有一個(gè)板子需要新增一部分功能,想將原來的小板改為大板,但出于成本考慮,又將原來的8層板改為了6層板,板子做出來后...

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問答Fly-by拓?fù)?驅(qū)動(dòng)到各負(fù)載的延時(shí)是不同的,是離驅(qū)動(dòng)近的負(fù)載信號(hào)質(zhì)量好,還是遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)的信號(hào)質(zhì)量好,為什么?我們?cè)趯W(xué)習(xí)高速設(shè)計(jì)的時(shí)候,會(huì)接觸到集總和分布的概念。剛開始并不理解,以為器件之間使用導(dǎo)線連接,保持連通就可以了,然而當(dāng)信號(hào)變化的時(shí)間和傳輸線長(zhǎng)在一個(gè)數(shù)量級(jí)的時(shí)候,就應(yīng)該關(guān)注傳輸線效應(yīng)了,這時(shí)候,同一時(shí)刻...

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DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選擇也是一個(gè)老生常談的話題了,從最初只能采用T拓?fù)涞街С肿x寫平衡的Fly-by拓?fù)?設(shè)計(jì)似乎變得越來越簡(jiǎn)單了。大家來看這樣一種情況,一個(gè)驅(qū)動(dòng)拖動(dòng)兩片DDR顆粒,芯片支持讀寫平衡,您一般會(huì)選擇什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)呢?我想,這個(gè)應(yīng)該和個(gè)人的設(shè)計(jì)習(xí)慣有關(guān),或者選擇T拓?fù)?或者選擇Fly-by,沒有標(biāo)準(zhǔn)答案。但是作者最近遇到...

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問答對(duì)于DDR3的布線我們應(yīng)該注意那些問題呢?下面我們以64位DDR3為例 :(注意:設(shè)計(jì)要求會(huì)因?yàn)樾酒径胁町?具體以芯片手冊(cè)要求的為準(zhǔn)。)首先是數(shù)據(jù)線,數(shù)據(jù)線分組如下: GROUP0: DQ0-DQ7,DQM0,DQS0P/DQS0N; GROUP1: DQ8-DQ15,DQM1,DQS1P/DQS1N; GROUP2: DQ16-DQ23,DQM2,DQS2P/DQS2N; GROUP3: DQ24-DQ31,DQM3,DQS3P/DQS3N;...

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1層疊設(shè)計(jì)的最后一個(gè)層次 接上一篇文章說的層疊設(shè)計(jì)的最后一個(gè)層次,其實(shí)這是一個(gè)開放性題目,非要讓大家按照我固定的封閉思路答題,是不公平的。所以我在上周的點(diǎn)評(píng)才說是“任性”一次。不過也還是有朋友的回答和我想的一樣,先握個(gè)手。 第3層次不僅同時(shí)提供阻抗需求表以及層疊設(shè)計(jì)表,同時(shí)還要詳細(xì)指定每一層的材料型...

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在DDRx里面經(jīng)常會(huì)被一些縮寫誤擾,如OCD、OCT和ODT,我想有同樣困擾的大有人在,今天還是繼續(xù)上一篇的關(guān)鍵技術(shù)來介紹一下大家的這些困擾吧。 片外驅(qū)動(dòng)調(diào)校OCD(Off-Chip Driver) OCD是在DDR-II開始加入的新功能,而且這個(gè)功能是可選的,有的資料上面又叫離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整。OCD的主要作用在于調(diào)整I/O接口端的電壓,來補(bǔ)償上拉與下...

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阻抗控制與層疊設(shè)計(jì)的幾個(gè)層次看看你在哪一層 說起阻抗控制,很多人都是一臉的輕描淡寫:這么簡(jiǎn)單,我剛?cè)胄芯蜁?huì)了。在深入了解行業(yè)在設(shè)計(jì)中進(jìn)行阻抗控制的方法之后,我總結(jié)了4個(gè)層次。 第0層次不進(jìn)行阻抗控制。也分兩種,一種是設(shè)計(jì)不屬于高速范疇,不需要控制阻抗;一種是到了高速范疇,卻不知道需要控制阻抗,導(dǎo)致設(shè)計(jì)出問...

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廣大網(wǎng)友的眼睛是雪亮的,昨天文章中有一處筆誤,一發(fā)出去就馬上收到了朋友的反饋。小陳同學(xué)還無恥地嘗試抵賴,很快就在真理面前敗下陣來。今天在這里將文章更正后重新發(fā)一遍,以后對(duì)公眾號(hào)文章的檢查會(huì)更加仔細(xì)一些。 我們?cè)诮榻B信號(hào)完整性的時(shí)候通常會(huì)說“當(dāng)傳輸延時(shí)大于六分之一的信號(hào)的上升時(shí)間時(shí),需要考慮信號(hào)完整性...

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問答DDR3設(shè)計(jì)中那些因素會(huì)影響時(shí)序,在設(shè)計(jì)中該怎樣避免呢?上次問到影響DDR時(shí)序的因素,其實(shí)DDR是一個(gè)牽一發(fā)而動(dòng)全身的整體,所以對(duì)于它的時(shí)序,影響的因素太大,比較突出的是—>電源完整性,走線拓?fù)浜投私?等長(zhǎng),串?dāng)_<—這四個(gè)總體的因素。電源完整性,對(duì)于時(shí)序是一個(gè)影響比較大的因素,電源不穩(wěn)定的話,會(huì)給信號(hào)帶來很多...

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DDR線長(zhǎng)匹配與時(shí)序(下)問答碼間干擾和串?dāng)_是怎么影響時(shí)序的?在講到影響源同步時(shí)序的因素中,我們更多強(qiáng)調(diào)的是時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的等長(zhǎng),因?yàn)榈乳L(zhǎng)后基本就等時(shí)了,等時(shí)后驅(qū)動(dòng)端時(shí)鐘與數(shù)據(jù)之間的相位關(guān)系就能被準(zhǔn)確無誤的傳輸?shù)浇邮斩恕Ｈ欢?在保證時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)到達(dá)接收端的前提下,信號(hào)質(zhì)量還會(huì)受到其他因素的影響。有時(shí)候,盡管時(shí)...

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三星NOTES7事件看電源載流設(shè)計(jì)的重要性 (戳圖片,即可查看上期文章回顧) 問答 如果某電源電流為20安培,你是選擇20~24mil孔徑的過孔來設(shè)計(jì),少打幾個(gè)過孔呢?還是選擇10~12mil孔徑的過孔來設(shè)計(jì),多打幾個(gè)過孔呢?為什么? 假定12mil的過孔可以安全承載1A的電流,現(xiàn)在某電源電流為20安培,需要設(shè)計(jì)多少個(gè)12mil的過孔?為什么? ...

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在《PCB的筋骨皮》一文中,我們提出了當(dāng)板厚在1.6mm及以上時(shí),怎樣避免使用假八層的疊層,而導(dǎo)致PCB成本增加的問題。感覺大家的回答很踴躍哈,看來這個(gè)問題還是比較典型的。本來想截取一些回答放在這里,不過篇幅的關(guān)系,大家可以自己去上一篇文章,看看文章后面的精選答復(fù)。 在此文中我們結(jié)合平時(shí)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),提出了自己的見...

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文章未動(dòng),公式先行: inc ──入射trans ──傳輸refl── 反射 當(dāng)信號(hào)穿越阻抗不連續(xù)的點(diǎn)時(shí),會(huì)產(chǎn)生反射電壓與電流,從而使得分界面兩邊的電壓和電流相等(基爾霍夫定律)。 這樣就有如下公式: V_inc+V_refl=V_trans I_inc-I_refl=I_trans 其中,由歐姆定律有: Z_1=V_inc/I_inc Z_1=V_refl/I_refl Z_2=V_trans/I_...

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來到了場(chǎng)的領(lǐng)域,我們要做的第一件事就是把我們的波形拆開,讓我們先來看看之前說過的測(cè)試點(diǎn)的問題。 為了將問題簡(jiǎn)化,我們假定一個(gè)這樣的條件: 1.在拓?fù)渖?源端完全匹配,末端全反射,理想的100Ω差分傳輸線。 2.傳輸?shù)臑槲覀冎澳M的DDR3信號(hào),由三次諧波構(gòu)成。 3.測(cè)試點(diǎn)位置離接收端距離為500mil。 好的,現(xiàn)在...

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在上一篇的問題里面問到了DDRX相對(duì)于前一代來說的關(guān)鍵技術(shù)突破在哪里,雖然沒有人回答得完全正確,但這個(gè)也是很正常的,因?yàn)橥ㄟ^幾句話要想說清楚也確實(shí)是不容易的,所以還是通過文章來把這些關(guān)鍵技術(shù)再給大家介紹一下。差分時(shí)鐘技術(shù) 差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì),但大家對(duì)CK#(CKN)的作用認(rèn)識(shí)很少,很多人理解為第...

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反射話題復(fù)習(xí)及端接和拓?fù)湓掝}開篇 講過阻抗,接下來當(dāng)然是反射。高速先生小陳寫過7篇反射的文章,深入淺出,功力深厚?？紤]到以下兩個(gè)因素,決定把舊文重發(fā)一輪: 1、 話題延續(xù)性,從阻抗到反射,然后就是端接和拓?fù)? 2、 重寫反射文章,也不見得能超出小陳的這幾篇,并且高速先生新人很多,很多人并沒有看過這幾篇 因?yàn)槭桥f...

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隨著電路設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜和高速,如何保證各種信號(hào)(特別是高速信號(hào))完整性,也就是保證信號(hào)質(zhì)量,成為難題。阻抗的控制最終需要通過PCB設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),對(duì)PCB板工藝也提出更高要求。下面是我針對(duì)這個(gè)問題,結(jié)合實(shí)際的生產(chǎn),有了一些粗淺的認(rèn)識(shí)和總結(jié),和大家分享,先來了解一些最基礎(chǔ)的東西吧…… 1PCB的基材 PCB是為完成第一層次...

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您覺得10GBASE-KR協(xié)議里面的Interconnect Channel指的是背板及連接器通道還是從芯片輸出到芯片輸入背板加子卡的通道? 其實(shí)802.3ap協(xié)議對(duì)Interconnect的定義也較模糊,我們高速先生內(nèi)部也經(jīng)常在討論這個(gè),看個(gè)人的理解,我覺得這里面有點(diǎn)小坑,甚至制定協(xié)議的人也沒有明確。不管結(jié)果怎樣,我們先來看原文。 (摘自IEEE Std 802....

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在前面的高速先生帶你看協(xié)議之10Gbps標(biāo)準(zhǔn)組織里有介紹過,大家可以再了解下: 【高速先生帶你看協(xié)議之10Gbps標(biāo)準(zhǔn)組織】 今天的主角就是SFF8431下面的SFP+信號(hào),它是目前10GBd光模塊用得比較多的一種信號(hào)協(xié)議,最高速率可以支持到11.1GBd。此外它還可以遵守如下一些信號(hào)協(xié)議。 表1SFP+ Standard Compliance SFP+主要分Ho...

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CEI-28G-VSR是OIF協(xié)議組織下面的通用電氣輸入輸出標(biāo)準(zhǔn),在前面的高速先生帶你看協(xié)議之10Gbps標(biāo)準(zhǔn)組織里有介紹過關(guān)于OIF組織,大家可以再了解下。 目前的25G、28G光模塊主要應(yīng)用的就是CEI-28G-VSR協(xié)議,所以這個(gè)協(xié)議應(yīng)用還是比較廣的,如下是這個(gè)協(xié)議的一個(gè)簡(jiǎn)單特性。 我們可以看到的比較明顯的是它不是一個(gè)特定的速率,而是...

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CEI-25G-LR是也OIF協(xié)議組織下面的通用電氣輸入輸出標(biāo)準(zhǔn),LR是long reach的簡(jiǎn)稱,可以作為CEI下面的長(zhǎng)距離板上傳輸,所以目前用在背板上,某些點(diǎn)和802.3bj的100G-BASE-KR4是通用的。應(yīng)用框架如下圖一所示。 基本特點(diǎn)如下: 1、差分阻抗100ohm; 2、Baud rate is within the range from 19.90 Gsym/s to 25.80 Gsym/s. 3、Ca...

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記得在介紹10GBASE-KR的時(shí)候問到了通道的定義,在問題解答的時(shí)候順便用100GBASE-KR4從側(cè)面來印證了一些想法,大家可以再回顧一下。 是的,100GBASE-KR4確實(shí)對(duì)通道定義得比較清晰,包含了除發(fā)送和接收芯片以外的一切就是通道,如下圖所示。 這個(gè)協(xié)議里面的通道要求就沒有那么復(fù)雜了,主要有IL、RL和COM,主要介紹如下。 插...

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除了插損回?fù)p指標(biāo),100GBASE-KR4協(xié)議里面居然沒有串?dāng)_等指標(biāo),為什么?值此中秋國(guó)慶來臨之際,高速先生也想跟上步伐,給大家來波福利,所以不用多說,這個(gè)又是送福利啦! (其實(shí)是大家的水平越來越高了,提問變成了技術(shù)難題,能難倒大家的問題也不多啦!可喜可賀!) 是的,大家都基本回答對(duì)了,其中還有協(xié)議的原話: All significant ...

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在PCB產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),對(duì)不同網(wǎng)絡(luò)之間有漏電流的要求(如后續(xù)案例中產(chǎn)品要求漏電流應(yīng)小于1pA),但是在可靠性測(cè)試過程中,部分設(shè)計(jì)或者生產(chǎn)因素可能會(huì)導(dǎo)致PCB的漏電測(cè)試不滿足當(dāng)初的設(shè)計(jì)要求。此時(shí),可通過失效分析技術(shù)來查找失效原因,提出改善措施,進(jìn)而對(duì)實(shí)際生產(chǎn)產(chǎn)品進(jìn)行預(yù)防改善,確保產(chǎn)品品質(zhì)滿足設(shè)計(jì)需求。本次分享一個(gè)關(guān)于漏...

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芯片熱阻測(cè)量 IC 封裝的熱阻(Rjc, Rja),對(duì)于任何熱設(shè)計(jì)工程師,封裝設(shè)計(jì)及硬件工程師來說,都是非常耳熟的名詞,都期望能在規(guī)格書中找到齊全的熱阻參數(shù),并且能夠精準(zhǔn)?？涩F(xiàn)實(shí)中常難于如愿,熱阻參數(shù)除了不齊全外,有的還不一定準(zhǔn)確,這困擾著不少工程師。 關(guān)于熱阻提取,興森研究院散熱公益顧問咨詢專家劉(水靈)工提出了自...

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火箭/導(dǎo)彈的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,其研制過程是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程,具有周期長(zhǎng),費(fèi)用高的特點(diǎn),研發(fā)過程中常涉及到強(qiáng)度、剛度、散熱、疲勞壽命、高馬赫數(shù)、強(qiáng)激波、氣動(dòng)熱、噪聲、外彈道、氣動(dòng)彈性、流-固-熱耦合等方面的工程問題。 火箭/導(dǎo)彈應(yīng)用方向 結(jié)構(gòu) 流體 ...

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從事這個(gè)行業(yè)已經(jīng)有好幾年了,特此記錄,待后續(xù)深思與反省。 以我為例,在這個(gè)行業(yè)耕耘并不算深,做研究不算嚴(yán)謹(jǐn),接觸的知識(shí)面倒是比較廣,可以了解到行業(yè)很多發(fā)展的動(dòng)態(tài)。但是,作為研發(fā)一名,自然大多數(shù)時(shí)間都奉獻(xiàn)到了工作上,時(shí)不時(shí)的想要接觸更多的人,想跨出這個(gè)行業(yè),獲得更多的資源。這篇文章倒是幫助我整理了一下思路,感謝...

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公司新來的實(shí)習(xí)生今天犯了一個(gè)錯(cuò)誤:將2.4mm(母頭)-2.4mm(母頭)的羅森博格連接器直接接在SMA(公頭)上,造成連接器損壞。器件損壞尚可原諒,若在儀器使用中也不注意,將會(huì)追悔莫及。 作為一名射頻工程師,日常工作中會(huì)用到大量的連接器:N頭、BNC、SMA、SMB、2.4mm、2.92mm、3.5mm等,使用哪一種更合適?是否能夠直接相連?需要...

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相參(相干,coherent),在不同的系統(tǒng)中,相參含義不同。 相參,可以理解為多個(gè)脈沖或信號(hào)之間的確定相位關(guān)系,通過相關(guān)運(yùn)算,可進(jìn)行信號(hào)檢測(cè),在偵查、識(shí)別等領(lǐng)域需要進(jìn)行相參運(yùn)算。在這種相參情況下,后續(xù)信號(hào)與第一個(gè)信號(hào)波形保持確定相位關(guān)系,但第一個(gè)信號(hào)波形的初始相位不必固定。 另一種情形,相控陣、MIMO等多通道系統(tǒng)中,...

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