技術分享時間 | 芯片熱阻測量經(jīng)驗總結【轉載】

2017-09-30  by:CAE仿真在線  來源:互聯(lián)網(wǎng)



芯片熱阻測量

IC 封裝的熱阻(Rjc, Rja),對于任何熱設計工程師,封裝設計及硬件工程師來說,都是非常耳熟的名詞,都期望能在規(guī)格書中找到齊全的熱阻參數(shù),并且能夠精準??涩F(xiàn)實中常難于如愿,熱阻參數(shù)除了不齊全外,有的還不一定準確,這困擾著不少工程師。

關于熱阻提取,興森研究院散熱公益顧問咨詢專家劉(水靈)工提出了自己的見解:當前要準確測量芯片的熱阻并非易事,或許也是眾多芯片廠家埋在心中的一個結。目前熱阻提取方法大概有三:

1 通過熱仿真提取


2 根據(jù)Jedec標準測量


3 通過瞬態(tài)熱測試儀T3ster

下面我們看看通過T3ster 測試儀來檢測芯片內部結構的熱阻的方法是否更為理想。我們也期待有更多的業(yè)界同仁參與探討。

首先還是讓我們了解下這個號稱熱測試中的“X射線” 神器-T3ster,一起揭開它的面紗。

一、T3ster簡介

T3ster是目前唯一滿足半導體熱阻模型測試標準的測試儀器;其開發(fā)者也是JESD51-14(半導體結殼熱阻?jc)測試方法制定者,可算是半導體熱阻測試的領導者。其獨創(chuàng)的結構函數(shù)分析法,能夠分析器件熱傳導路徑上每層結構的熱學性能(熱阻和熱容參數(shù)),構建熱學模型,是封裝工藝,可靠性試驗,材料特性以及接觸熱阻的強大支持工具,被譽為熱測試中的“X射線”;適應于IC,SOC,SIP,散熱器,熱管等熱特性測量分析。

T3ster原理

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T3ster在電子產(chǎn)品中的應用

①驗證IC芯片散熱特性

-通過測試芯片die到封裝的熱阻,判斷芯片封裝散熱特性好壞。

②非破壞性測試驗證:

-芯片廠家沒提供熱阻參數(shù)或者提供的熱阻值與產(chǎn)品應用環(huán)境不一致

-T3ster不破壞芯片結構,通過靜態(tài)熱阻測量方法,測試芯片的熱阻

-可進行老化實驗分析、失效實驗分析

③T3ster的測試結果直接導入到Flotherm軟件進行后期系統(tǒng)散熱分析

④接觸熱阻的大小與材料、接觸質量關系密切

-芯片或散熱器的接觸熱阻有:導熱膠、導熱墊片、螺釘聯(lián)接、干接觸殼體等

-通過T3ster快速測試各種材料的接觸熱阻,驗證不同工藝的散熱效果。

⑤材料熱學性能的驗證

二、熱阻檢測案例

測試目的

對3個同一批次芯片樣品進行熱瞬態(tài)測試,通過結構函數(shù)對芯片結構層熱特性進行對比分析。

測試計劃

樣品數(shù)量: 3pcs(#1,#2,#3)

器件類型: To220

測試設備: Mentor T3ster

測試地點: 興森科技&貝思科爾聯(lián)合實驗室

測試工程師:John Liu

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測試流程

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測試環(huán)境搭建

說明:3個樣品分別放入T3ster恒溫槽里面,用同一導熱墊接觸,

導熱墊參數(shù):厚1mm,K=5.5w/m-k

測試方法:one by one ;

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對#1號樣品增加一組導熱硅脂的測試,如下圖所示:


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K系數(shù)測量

K系數(shù)是什么?

是建立結溫與電壓之間的關系。

在器件本身的自發(fā)熱可以忽略的情況下,將器件置于溫度可控的恒溫環(huán)境中,改變環(huán)境溫度,測量TSP,得到一條校準曲線。該直線斜率即為K系數(shù)。

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瞬態(tài)溫度響應曲線

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軟件后處理

結構函數(shù)是軟件后處理分析的重點。什么是結構函數(shù)?

結構函數(shù)是描述封裝熱流路徑上的熱阻與熱容參數(shù)。

結構函數(shù)的獲取:通過T3ster對芯片熱相關參數(shù)的測試,得到芯片的溫度變化瞬態(tài)曲線,可以從溫度的變化曲線中通過數(shù)值變化得出其結構函數(shù);

器件結構示意圖

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結構函數(shù)及簡化的熱阻模型

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實驗數(shù)據(jù)及分析說明

①下圖為樣品#1采用兩個不同的TIM材料所得的結構函數(shù);

- 我們通過分析軟件可清晰的找到了兩曲線的交叉點,此點值正是芯片的結殼熱阻。交叉點前端曲線為芯片內部結構層熱阻,從圖看幾乎是完全重合。由于是同一個芯片,所以理論上應該是重合的。當然假設同一個芯片工作久了在拿過來測,或許就會差別較大了,這也就是通常我們所說的芯片老化,疲勞帶來的品質問題。技術分享時間 | 芯片熱阻測量經(jīng)驗總結HFSS結果圖片12

3個樣品測試的結構函數(shù)

從下圖可看出,#1,#2,#3三個芯片的結構函數(shù)是不重合的,結殼熱阻也有所不同:

- 由于IC封裝里面每個結構層的尺寸,工藝控制多少有些差異,或是焊接層空洞等多方面因素導致其各層熱阻的差異,通過同批次多數(shù)量的熱阻檢測,可以分析芯片熱管理的可靠性。

- TIM層熱阻差異主要由于每次測量時壓力不同導致。

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