PA下方鋪地不夠，對(duì)RF性能的影響

2017-02-17 by:CAE仿真在線(xiàn) 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)

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以Thermal 的角度來(lái)分析,當(dāng)你下層有地的時(shí)候,PA 散發(fā)的熱,可以透過(guò)GND Via 導(dǎo)到下層地,先把熱散掉一部分,其余再散到Main GND。

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但是,如果下層不鋪地

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我們由下圖的公式可知,電阻跟導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度成正比,

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而我們又知道

Layer 1 => Main GND 的GND Via 長(zhǎng)度

肯定是比

Layer 1 => Layer 2 的GND Via 長(zhǎng)度

還要來(lái)的長(zhǎng),這意味著,如果你光靠Main GND 來(lái)散熱,那么GND Via 的電阻會(huì)變大,(因?yàn)殚L(zhǎng)度較長(zhǎng))電阻越大,熱就越不易傳遞。換言之,當(dāng)你下層有鋪地,熱可以輕易透過(guò)GND Via 傳導(dǎo)過(guò)去(因?yàn)榫嚯x短電阻小)。但下層不鋪地,那么熱就不易透過(guò)GND Via 傳導(dǎo)過(guò)去(因?yàn)榫嚯x長(zhǎng) 電阻大)。此時(shí)散熱效果就大打折扣,最糟情況是熱都傳不過(guò)去Main GND,全都積在PA下方。

倘若PA 散熱不好,溫度高,一來(lái)是Gain 會(huì)下降

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Gain 下降,則輸出功率就變小。

二來(lái)是溫度一高,線(xiàn)性度就變差。

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PA 線(xiàn)性度變差,那就是TX 性能會(huì)劣化。

如果是GSM/WCDMA/LTE 這種對(duì)輸出功率要求很?chē)?yán)格的,可能須做溫度補(bǔ)償,使高溫的輸出功率,跟常溫一樣。一但這樣,那情況更糟,因?yàn)檫@意味著,你要打更大的DAC / RGI,來(lái)達(dá)到Target Power,意即收發(fā)器的輸出功率會(huì)變大,如下圖 :

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而由下圖可知,PA 的input,其實(shí)就是DA 的Output[1]:

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所以讓DA 的輸出功率變大,意味著DA 的線(xiàn)性度變差。換言之,可能此時(shí)PA input 的ACLR, EVM 就已經(jīng)不好了,再經(jīng)過(guò)PA 這個(gè)最大的非線(xiàn)性貢獻(xiàn)者,只會(huì)更加劣化[1]。再加上高溫使PA 線(xiàn)性度變差,TX 性能的劣化,就更雪上加霜。

三來(lái)是溫度一高,Thermal Noise 變大,RX 靈敏度就會(huì)差,如下圖[2] :

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