EMC實(shí)用整改方案

2016-12-26  by:CAE仿真在線  來源:互聯(lián)網(wǎng)

EMC的分類及標(biāo)準(zhǔn):

EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。

EMC = EMI + EMS 

EMI : 電磁干擾 

EMS : 電磁相容性 (免疫力)

EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B;國標(biāo)IT類(GB9254,GB17625)和AV類(GB13837,GB17625)。FCC測試頻率在450K-30MHz,CISPR 22測試頻率在150K--30MHz,Conduction可以用頻譜分析儀測試,Radiation則必須到專門的實(shí)驗(yàn)室測試。

EN55022為Radiation Test & Conduction Test (傳導(dǎo) & 輻射測試); EN61000-3-2為Harmonic Test (電源諧波測試) ;EN61000-3-3為Flicker Test (電壓變動(dòng)測試)。

CISPR22(Comite Special des Purturbations Radioelectrique)應(yīng)用于信息技術(shù)類裝置, 適用于歐洲和亞洲地區(qū);EN55022為歐洲標(biāo)準(zhǔn),FCC Part 15 (Federal Communications Commission) 適用于美國,EN30220歐洲EMI測試標(biāo)準(zhǔn),功率輻射測試標(biāo)準(zhǔn)是EN55013頻率在30MHZ-300MHz。

EN55011輻射測試標(biāo)準(zhǔn)是:有的頻率段要求較高,有的頻率段要求較低。傳導(dǎo) (150KHZ-30MHZ) LISN主要是差模電流, 其共模阻抗為100歐姆(50 + 50); LISN主要是共模電流, 其總的電路阻抗為25歐姆(50 // 50)。

4線 AV 60dB/uV 150KHZ-2MHZ start 9KHZ

5線 PEAK 100dB/uV 150KHZ-3MHZ

6線 PEAK 100dB/uV 2MHZ-30MHZ

7線 QP 70dB/uV 150KHZ-500KHZ

Radiated (30MHZ-1GHZ): ADD 4N7/250V Y CAP 90dB/uV 30MHZ-300MHZ

EMI為電磁干擾,EMI是EMC其中的一部分,EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾, EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的,通常稱作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流,電流回路面積以及頻率的平方即:EMI = K*I*S*F2。I是電流,S是回路面積,F是頻率,K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。

EMI是指產(chǎn)品的對(duì)外電磁干擾。一般情況下分為 Class A & Class B 兩個(gè)等級(jí)。 Class A為工業(yè)等級(jí),Class B 為民用等級(jí) 。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格,因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測試EMI中的輻射測試來講,在30-230MHz下,B類要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過40dBm 而A類要求不能超過50dBm(以三米法電波暗室測量為例)相對(duì)要寬松的多,一般來說CLASS A是指在EMI測試條件下,無需操作人員介入,設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作,不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級(jí)的性能降低或功能損失。

EMI是設(shè)備正常工作時(shí)測它的輻射和傳導(dǎo)。在測試的時(shí)候,EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個(gè)上限,分別代表Class A和Class B,如果觀察的波形超過B的線但是低于A的線,那么產(chǎn)品就是A類的。EMS是用測試設(shè)備對(duì)產(chǎn)品干擾,觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作,如果正常工作或不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為A級(jí)。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為B級(jí)。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級(jí),掛掉為D級(jí)。國標(biāo)有D級(jí)的規(guī)定,EN只有A,B,C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的。

EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱為 “電磁免疫力”, 是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力,EMI是設(shè)備對(duì)外的騷擾。

EMS中的等級(jí)是指:Class A,測試完成后設(shè)備仍在正常工作;Class B,測試完成或測試中需要重啟后可以正常工作;Class C,需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作;Class D,設(shè)備已損壞,無論怎樣調(diào)整也無法啟動(dòng)。嚴(yán)格程度EMI是B>A,EMS是A>B>C>D。

 

常用的EMC標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)配置

國際標(biāo)準(zhǔn)

歐洲標(biāo)準(zhǔn)

英國標(biāo)準(zhǔn)

中國標(biāo)準(zhǔn)

試驗(yàn)項(xiàng)目

試驗(yàn)配置

MIL-STD-461D




成束電纜注入傳導(dǎo)敏感試驗(yàn)

CST-115


EN55014-2


GB4343.2

家電類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測


EN61547




燈具類產(chǎn)品電磁波干擾檢測


EN55012




汽油車電磁干擾/抗干擾檢測


EN50091-2




UPS的EMC限制


CISPR11

EN55011

BS4809

GB48422

工業(yè)、醫(yī)療和科學(xué)產(chǎn)品電磁干擾檢測(空間輻射)

SSS-KP11

CISPR12

EN55012

S833


汽車、機(jī)動(dòng)船和火花塞點(diǎn)火發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的射頻干擾特性測量方法和極限值


CISPR13

EN55013

BS905
第一部分

GB13837

音視頻/廣播類產(chǎn)品電磁干擾檢測(空間輻射)

SSS-KP13

CISPR14-1

EN55014-1

BS800

GB4343

家電類產(chǎn)品電磁干擾檢測(傳導(dǎo)干擾)

SSS-KP-9318/SSS-4343

CISPR15

EN55015

BS5394

GB17743

燈具類產(chǎn)品電磁波干擾檢測

SSS-KP-9314

CISPR16

EN55016

BS727


射頻干擾測量裝置和測量方法的規(guī)范


CISPR20

EN55020

BS905
第二部分


音視頻/廣播類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測

SSS-KP20

CISPR22

EN55022

BS6527

GB9254

信息技術(shù)類產(chǎn)品電磁干擾檢測(空間輻射)

SSS-KP-9822/SSS-KP24

CISPR24

EN55024


GB17618

信息技術(shù)類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(EMS TEST)

SSS-KP24

CISPR25




車載船載電氣設(shè)備干擾特性測量

SSS-KP25

IEC555
第1-3部分

EN60555

BS5406


家用電器和類似電氣設(shè)備引起的電源干擾


IEC801
第1-3部分

HD481


BS6667
第1-3部分

工業(yè)過程測量惡化控制設(shè)備的電磁兼容性


EN61000-6-1




居住、商業(yè)、輕工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁抗干擾檢測


EN61000-6-2




工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁抗干擾檢測


EN61000-6-3




居住、商業(yè)、輕工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁干擾檢測


EN61000-6-4




工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁干擾檢測


EN60555-2

EN61000-3-2



電源諧波檢測,單項(xiàng)輸入電流≦16A

SSS-TMX-125/SSS-TMX-140

EN60555-3

EN61000-3-3



電壓閃爍檢測,輸入電流≦16A

SSS-TMX-125/SSS-TMX-140

IEC61000-4-2

EN61000-4-2



靜電放電抗干擾檢測

ESD-320A/ESD-8012 /ESD-8012G

IEC61000-4-3

EN61000-4-3



射頻電磁波抗干擾檢測

SSS-6100S/SSS-1043

IEC61000-4-4

EN 61000-4-4



電性快速脈沖群抗干擾檢測(EFT Test)

EFTB-8014/EFT-8014A /EFT-8014G

IEC61000-4-5

EN61000-4-5



雷擊浪涌抗干擾檢測(Surge Test)

LSG-6K/LSG-61005 /LSG-8015

IEC61000-4-6

EN61000-4-6



傳導(dǎo)抗干擾檢測

SSS-61006

IEC61000-4-8

EN61000-4-8



電源頻率磁場抗干擾檢測(PFMF Test)

SSS-KBA-1105

IEC61000-4-11

EN61000-4-11



電壓瞬降抗干擾檢測(DIP Test)

CSS-100A/CSS-100G

IEC61000-4-12

EN61000-4-12



振蕩波敏感度試驗(yàn)

SWC-3000S

IEC68-2-67/IEC68-2-3




恒定濕熱Damp heat,steady state


IEC68-2-30




交變濕熱 Damp heat,cyclic


FCC Part 15




美國射頻設(shè)備的無線電干擾限值和測量方法


FCC Part 18




美國工科醫(yī)類產(chǎn)品的干擾限值和測量方法


VCCI




日本信息技術(shù)設(shè)備EMC要求


EMS部份為EN55024包含7項(xiàng)測試:

EN61000-4-2:1998;

EN61000-4-3:1998;

EN61000-4-4:1995,

EN61000-4-5:1995;

EN61000-4-6:1996;

EN61000-4-8: 1993;

EN61000-4-11:1994。

EMC檢測主要項(xiàng)目:

空間輻射(Radiation): EN55011,13,22 FCC Part 15&18, VCCI

傳導(dǎo)干擾(Conduction): EN55011,13,14-1,15,22, FCC Part 15&18, VCCI
喀嚦聲(Click): EN55014-1

功率輻射(Power Clamp): EN55013,14-1
磁場輻射(Magnetic Emission): EN55011,15
低頻干擾(Low Frequency Immunity): EN50091-2
靜電放電(ESD): IEC61000-4-2、EN61000-4-2、 GB/T17626.2
輻射抗擾度(R/S): IEC61000-4-3、 EN61000-4-3 、GB/T17626.3
脈沖群抗擾度(EFT/B): IEC61000-4-4、EN61000-4-4 、 GB/T17626.4
浪涌抗擾度(SURGE): IEC61000-4-5、 EN61000-4-5、 GB/T17626.5
傳導(dǎo)騷擾抗擾度(C/S): IEC61000-4-6、 EN61000-4-6 、GB/T17626.6

工頻磁場抗擾度(M/S): IEC61000-4-8、 EN61000-4-8、GB/T17626.8
電壓跌落(DIPS): IEC61000-4-11、 EN61000-4-11、 GB/T17626.11
諧波電流(Harmonic): IEC61000-3-2、EN61000-3-2

電壓閃爍(Flicker): IEC61000-3-3、EN61000-3-3

輻射干擾(Radiated Interference)是通過空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。傳導(dǎo)干擾(Conducted Interference)是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。

電磁兼容三要素:任何電磁兼容性問題都包含三個(gè)要素,即干擾源、敏感源和耦合路徑,這三個(gè)要素中缺少一個(gè),電磁兼容問題就不會(huì)存在。

產(chǎn)生電磁干擾的條件: 突然變化的電壓或電流,即dV/dt或dI/dt很大;輻射天線或傳導(dǎo)導(dǎo)體。

電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)對(duì)設(shè)備的要求有兩個(gè)方面:一個(gè)是工作時(shí)不會(huì)對(duì)外界產(chǎn)生不良的電磁干擾影響,另一個(gè)是不能對(duì)外界的電磁干擾過度敏感。前一個(gè)方面的要求稱為干擾發(fā)射要求,后一個(gè)方面的要求稱為敏感度要求。

電磁能量從設(shè)備內(nèi)傳出或從外界傳入設(shè)備的途徑只有兩個(gè),一個(gè)是以電磁波的形式從空間傳播,另一個(gè)是以電流的形式沿導(dǎo)線傳播。因此,電磁干擾發(fā)射可以分為:傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射;敏感度也可以分為傳導(dǎo)敏感度和輻射敏感度。

電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)分為基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)、通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)和專用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn):描述了EMC現(xiàn)象、規(guī)定了EMC測試方法、設(shè)備,定義了等級(jí)和性能判據(jù)?;A(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)不涉及具體產(chǎn)品。

產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn):針對(duì)某種產(chǎn)品系列的EMC測試標(biāo)準(zhǔn)。往往引用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),但根據(jù)產(chǎn)品的特殊性提出更詳細(xì)的規(guī)定。

通用標(biāo)準(zhǔn):按照設(shè)備使用環(huán)境劃分的,當(dāng)產(chǎn)品沒有特定的產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)可以遵循時(shí),使用通用標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行EMC測試。對(duì)使設(shè)備的功能完全正常,也要滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的要求。

關(guān)于制訂電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的組織和標(biāo)準(zhǔn)的介紹:

IEC(國際電工委員會(huì)):有兩個(gè)平行的組織制訂EMC標(biāo)準(zhǔn),CISPR和TC77。

CISPR(國際無線電干擾特別委員會(huì)):1934年成立。目前有七個(gè)分會(huì):A分會(huì)(無線電干擾測量方法與統(tǒng)計(jì)方法)、B分會(huì)(工、科、醫(yī)療射頻設(shè)備的無線電干擾)、C分會(huì)(電力線、高壓設(shè)備和電牽引系統(tǒng)的無線電干擾)、D分會(huì)(機(jī)動(dòng)車和內(nèi)燃機(jī)的無線電干擾)、E分會(huì)(無線接收設(shè)備干擾特性)、F分會(huì)(家電、電動(dòng)工具、照明設(shè)備及類似電器的無線電干擾)、G分會(huì)(信息設(shè)備的無線電干擾)。

TC77(第77技術(shù)委員會(huì)):1981年成立。目前有3個(gè)分會(huì):SC77A(低頻現(xiàn)象)、 SC77B(高頻現(xiàn)象)、 SC77C(對(duì)高空核電磁脈沖的抗擾性)。

CENELEC(歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)):由歐共體委員會(huì)授權(quán)制訂歐洲標(biāo)準(zhǔn)。EN標(biāo)準(zhǔn)中引用了很多CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn),其對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:

EN55××× = CISPR標(biāo)準(zhǔn), (例: EN55011 = CISPR Pub.11)

EN6×××× = IEC標(biāo)準(zhǔn), (例: EN61000-4-3 = IEC61000-4-3 Pub.11)

EN50××× = CENELEC自定標(biāo)準(zhǔn), (例: EN50801 )

FCC(聯(lián)邦通信委員會(huì))全名為Federal Communications Commission:是管理電腦, 周邊及通信產(chǎn)品等銷售美國之審核授權(quán)機(jī)抅, 主要制訂民用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)主要包括在FCC Part15和FCC Part 18中。

FCC Part 15 subpart B規(guī)定: 凡利用數(shù)位技術(shù)之電子裝置或系統(tǒng), 及使用或產(chǎn)生脈波頻率超過10KHz之器材,皆須依規(guī)定進(jìn)行測試認(rèn)證后, 才可以在美國市場銷售。

MIL-STD(美軍標(biāo)):典型的是MIL-STD –461D。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不僅規(guī)定了最大輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射的限制,還規(guī)定了系統(tǒng)對(duì)輻射和傳導(dǎo)干擾的敏感度要求。配套標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-462規(guī)定了必要的測試裝置。商業(yè)公司經(jīng)常將MIL-STD-461中的某些部分作為產(chǎn)品內(nèi)部EMC規(guī)范。

VCCI(干擾自愿控制委員會(huì)):民間機(jī)構(gòu),其標(biāo)準(zhǔn)與CISPR和IEC一致。

GB(中國國家標(biāo)準(zhǔn)):基本采用CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn),目前已發(fā)布57個(gè)。

GJB(中國軍用標(biāo)準(zhǔn)):基本采用美軍標(biāo),例如GJB151A = MIL-STD –461D。

軍用設(shè)備
為軍用設(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)必須滿足MIL-STD-461D的要求, 另一個(gè)關(guān)于EMI的軍用標(biāo)準(zhǔn)是保密的TEMPEST計(jì)劃,這是用來保證保密通信系統(tǒng)安全的?,F(xiàn)在可以接收并復(fù)現(xiàn)出大多數(shù)電子設(shè)備政黨工作時(shí)所發(fā)射的功率很低的射頻信號(hào)。象對(duì)電子竊聽很脆弱的CRT終端那樣的軍用產(chǎn)品就屬于TEMPEST的范疇。在實(shí)踐中,TEMPEST控制設(shè)備和系統(tǒng)的發(fā)射,使無法解譯攜帶信息的信號(hào)。
由于關(guān)于EMC的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)十分復(fù)雜,關(guān)于信息技術(shù)設(shè)備的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)總結(jié)在表1.9中。一些標(biāo)準(zhǔn)的頻率范圍在圖1-3中標(biāo)明。

CE標(biāo)示: 源自歐共體各會(huì)員國(European Community)縮寫的總稱, 並以此為標(biāo)志。規(guī)范產(chǎn)品是否符合歐體為保障民眾安全健康以及環(huán)境保護(hù)等利益所訂定之基本安全要求。

CE = EMC + LVD EMC : 電磁干擾及電磁相容性 LVD : 低電壓指令

測量場地:GB要求在開闊場地中測量,GJB要求在屏蔽半無反射室中測量,由于電磁環(huán)境日趨惡化,開闊場中的背景干擾往往嚴(yán)重影響測量,因此,GB測量也開始在屏蔽半無反射室中做,但要求半無反射室中的電磁場分布與開闊場近似。

天線到EUT(受試設(shè)備)的距離:GB要求為3米、10米或30米,GJB要求為1米;

測量內(nèi)容:GB僅測量電場輻射發(fā)射,GJB對(duì)電場輻射和磁場輻射都要測量;

測量頻率范圍:GB規(guī)定的測量范圍為30MHz ~ 1GHz,隨著時(shí)鐘頻率的升高,有擴(kuò)展到18GHz的趨勢,GJB規(guī)定的測量頻率范圍為10kHz ~ 18GHz。

EUT的布置:GB和GJB都要求EUT按照實(shí)際工作狀態(tài)布置(互聯(lián)電纜和所連接的外部設(shè)備全部按實(shí)際狀態(tài)連接),GB要求EUT放置在木制測試臺(tái)上,GJB要求EUT放置在金屬板上。距離地面的距離為0.8米;

檢波方式:干擾測量儀的讀數(shù)與檢波方式有關(guān),因此標(biāo)準(zhǔn)中都明確規(guī)定檢波方式,GB要求準(zhǔn)峰值檢波,GJB要求峰值檢波;

最大輻射點(diǎn):與處理電磁兼容問題的原則相同,僅關(guān)心最壞情況。因此,以EUT的最大輻射值為測量結(jié)果。最大輻射值的含義有4個(gè),第一:EUT的工作狀態(tài)處于最大輻射狀態(tài),第二:EUT最大輻射面對(duì)著天線,第三:天線的極化方向?yàn)榻邮兆畲髨鰪?qiáng)的方向,第四:天線的高度為接收最大場強(qiáng)的位置。GJB中,沒有第四點(diǎn)的要求,即,天線的高度是固定的。

測量設(shè)備:

騷擾測量設(shè)備:用來定量計(jì)量騷擾強(qiáng)度的設(shè)備,可以是EMI測量接收機(jī),也可以是頻譜分析儀,頻率范圍要覆蓋150KHz~30MHz,具有峰值、準(zhǔn)峰值和平均值檢波功能。

線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN):由于電源端子傳導(dǎo)發(fā)射的強(qiáng)度與電網(wǎng)的阻抗有關(guān),因此為了使測量具有唯一性,必須在特定的阻抗條件下測量,LISN就提供了這樣一個(gè)環(huán)境,GB9254標(biāo)準(zhǔn)中使用的LISN為50Ω/50μH。

接地平板:受試設(shè)備要放置在接地金屬板上進(jìn)行試驗(yàn),該金屬板比被測設(shè)備邊框大0.5米,最小尺寸為2m×2m。

電快速脈沖試驗(yàn)?zāi)M電網(wǎng)中的感性負(fù)載斷開時(shí)產(chǎn)生的干擾。這種干擾不僅會(huì)出現(xiàn)在電源線上,而且會(huì)耦合到信號(hào)線上。因此,這個(gè)試驗(yàn)要對(duì)電源線和信號(hào)線做。設(shè)備能夠通過浪涌試驗(yàn),并不意味著也能通過電快速脈沖試驗(yàn)。一方面是因?yàn)楹笳叩念l率成份遠(yuǎn)高于前者,具備不同的干擾機(jī)理,令一方面是因?yàn)殡娍焖倜}沖試驗(yàn)中施加的干擾是重復(fù)性,這對(duì)電路具有一種積分效應(yīng),是電路中的積分型抗干擾電路實(shí)效。

頻譜分析儀能夠快速地在較寬的頻率范圍內(nèi)掃描,因此是診斷電磁干擾發(fā)射的方便工具。使用頻譜分析儀時(shí)需要注意的問題:頻譜分析儀不能觀測瞬間干擾,如靜電放電、雷電等;頻譜分析儀的掃描時(shí)間不能設(shè)置得太短,即不能使掃描速度太快;從頻譜分析儀屏幕上讀取頻率與幅度數(shù)據(jù)時(shí),其精度與頻譜儀的掃描范圍有關(guān),范圍越窄,精度越高;當(dāng)輸入信號(hào)過大時(shí),頻譜分析儀會(huì)發(fā)生過載,使讀取的幅度數(shù)據(jù)比實(shí)際的小,用輸入衰減器可以避免過載;減小頻譜儀的中頻帶寬可以提高儀器的靈敏度(和選擇性),但掃描時(shí)間會(huì)更長;寬帶信號(hào)的幅度會(huì)隨著中頻分辨帶寬的增加而增加。

電磁干擾(EMI)接收機(jī)是另一種測量電磁干擾的設(shè)備,許多人在選購儀器時(shí)搞不懂接收機(jī)與頻譜儀之間的區(qū)別,下面做一簡單比較:

所有的接收機(jī)都標(biāo)準(zhǔn)配置預(yù)選器(頻譜儀需要選配),能夠有效地抑制帶外噪聲;所有的接收機(jī)用基頻混頻方式(頻譜儀使用基頻和諧頻混頻),具有較高的靈敏度;接收機(jī)的中頻濾波器為矩形(頻譜儀的中頻濾波器為高斯形),具有更好的選擇性;接收機(jī)適合于正式測量,不適合于診斷。

EMC試驗(yàn)室有華測(CTI)、SGS、信測、信華、華通威、冠準(zhǔn)、莫特、廣州ETL、廣州五所、東莞經(jīng)續(xù)、東莞沃特、厚街北南、長安世鴻、長安碩信(ATT)、大朗信寶、塘夏歐標(biāo)、摩爾實(shí)驗(yàn)室、經(jīng)續(xù)檢驗(yàn)技術(shù)有限公司等。像美國的FCC只測EMI中的輻射和傳導(dǎo),不測EMS。有些國家EMI和EMS是分開測的,有些國家是一起像CCC認(rèn)證CE認(rèn)證?,F(xiàn)在很多電器類產(chǎn)品做CE還要加測電磁波騷擾EMF,標(biāo)準(zhǔn)是EN-50336。電源EMI技術(shù)就算能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),有的產(chǎn)品要求要達(dá)一定的濕度測試。在深圳濕試控制都比較難做。深圳幾家大實(shí)驗(yàn)室,都比較難,空間問題。EMI不只包括傳導(dǎo),輻射,電流諧波與電壓閃爍也是EMI的部分。諧波和閃爍是設(shè)備對(duì)外的,而不是外界對(duì)設(shè)備的,所以是EMI,不是EMS。


開關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理及其傳播途徑

功率開關(guān)器件的高額開關(guān)動(dòng)作是導(dǎo)致開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的主要原因。開關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量,另一方面也導(dǎo)致了更為嚴(yán)重的EMI問題。開關(guān)電源工作時(shí),其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內(nèi)上升和下降的,因此,開關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾,按噪聲干擾源種類來分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源,或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑?,F(xiàn)在按噪聲干擾源來分別說明:
1、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間引起的干擾
交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓,經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷?但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知,電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng),造成對(duì)電網(wǎng)的諧波污染。另外,由于電流是脈沖波,使電源輸入功率因數(shù)降低。

高頻整流回路中的整流二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過,在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí),由于PN結(jié)中有較多的載流子積累,因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里,電流會(huì)反向流動(dòng),致使載流子消失的反向恢復(fù)電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。

2、開關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾
功率開關(guān)管在導(dǎo)通時(shí)流過較大的脈沖電流。例如正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在 阻性負(fù)載時(shí)近似為矩形波,其中含有豐富的高次諧波分量。當(dāng)采用零電流、零電壓開關(guān)時(shí),這種諧 波干擾將會(huì)很小。另外,功率開關(guān)管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會(huì)產(chǎn)生 尖峰干擾。
3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾
無工頻變壓器的開關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會(huì)引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。開關(guān)電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量,通過開關(guān)電源的輸入輸出線傳播出去而形成的干擾稱之為傳導(dǎo)干擾;而諧波和寄生振蕩的能量,通過輸入輸出線傳播時(shí),都會(huì)在空間產(chǎn)生電場和磁場。這種通過電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱為輻射干擾。
4、其他原因
元器件的寄生參數(shù),開關(guān)電源的原理圖設(shè)計(jì)不夠完美,印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布 置,具有很大的隨意性,PCB的近場干擾大,并且印刷板上器件的安裝、放置,以及方位的不合理都會(huì)造成EMI干擾。這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計(jì)的難度。

Flyback 架構(gòu)noise 在頻譜上的反應(yīng)

0.15 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾。

0.2 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet 振蕩2(190.5KHz)基波的迭加,引起的干擾;所以這部分較強(qiáng)。

0.25 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾;

0.35 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾;

0.39 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet 振蕩2(190.5KHz)基波的迭加引起的干擾;

1.31MHz處產(chǎn)生的振蕩是Diode 振蕩1(1.31MHz)的基波引起的干擾;

3.3 MHz處產(chǎn)生的振蕩是Mosfet振蕩1(3.3MHz)的基波引起的干擾;

開關(guān)管、整流二極管的振蕩會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾

設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)防止EMI的措施:

1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開關(guān)管的漏極、集電極,初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn),等。

2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線包,變壓器磁芯,開關(guān)管的散熱片,等等。

3. 使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包,未遮蔽的變壓器磁芯,和開關(guān)管,等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,因?yàn)樵谡2僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

4. 如果變壓器沒有使用電場屏蔽,要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積:次級(jí)(輸出)整流器,初級(jí)開關(guān)功率器件,柵極(基極)驅(qū)動(dòng)線路,輔助整流器。

6.不要將門極(基極)的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8. 防止EMI濾波電感飽和。

9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和 次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。

10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。

13. 使EMI濾波器對(duì)面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17.在PCB設(shè)計(jì)時(shí)允許放1nF/ 500 V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19.在PCB面積足夠的情況下, 可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置,RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20.空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個(gè)小徑向引線電容器(米勒電容, 10皮法/ 1千伏電容)。

21.空間允許的話放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

22. 不要把AC插座與初級(jí)開關(guān)管的散熱片靠在一起。

開關(guān)電源EMI的特點(diǎn)
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板 (PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計(jì)的難度。

1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決
1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;
5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30MHZ不過可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來解決.
100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問題,但垂直方向就很無奈了

開關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量;

2.添加差模電感;

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?

采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,

1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

3.也可改變整流二極管特性來處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。

對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

對(duì)于20--30MHZ,

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起,

1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;

4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

8.PCB LAYOUT 時(shí)大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

4.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上 開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

傳 導(dǎo) 方 面 EMI 對(duì) 策

傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15-1MHZ超標(biāo),熱機(jī)時(shí)就有7DB余量。主要原因是初級(jí)BULK電容DF值過大造成的,冷機(jī)時(shí)ESR比較大,熱機(jī)時(shí)ESR比較小,開關(guān)電流在ESR上形成開關(guān)電壓,它會(huì)壓在一個(gè)電流LN線間流動(dòng),這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。.........

輻 射 方 面 EMI 對(duì) 策

輻射在30~300MHz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)

通過在電源線上增加去耦磁環(huán)(可開合)進(jìn)行驗(yàn)證,如果有改善則說明和電源線有關(guān)系,采用以下整改方法:如果設(shè)備有一體化濾波器,檢查濾波器的接地是否良好,接地線是否盡可能短;

金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;調(diào)整Y電容時(shí)要注意安全問題;改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射,但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差,所以需要不斷的試,才能找到最好的組合。適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;也可在開關(guān)管晶體管的集電極(或者是MOS管的漏極)或者是次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開關(guān)噪聲。開關(guān)電源板在PCB布線時(shí)一定要控制好各回路的回流面積,可以大大減小差模輻射。在PCB電源走線中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;在電源線上套磁環(huán)進(jìn)行比對(duì)驗(yàn)證,以后可以通過在單板上增加共模電感來實(shí)現(xiàn),或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入AC線的L線的長度盡量短;

屏蔽設(shè)備內(nèi)部,孔縫附近是否有干擾源;結(jié)構(gòu)件搭接處是否噴有絕緣漆,采用砂布將絕緣漆擦掉,作比較試驗(yàn)。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆,是否接地良好。


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