HFSS激勵(lì)和材料設(shè)置
2016-11-05 by:CAE仿真在線 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)
激勵(lì)設(shè)置
1、波端口
端口是唯一的一種允許能量流入和流出的邊界條件。
阻抗:作為一個(gè)阻抗線,這條線作為HFSS在端口對(duì)電場(chǎng)進(jìn)行積分計(jì)算電壓的積分路徑。
一般,阻抗線應(yīng)該定義在電壓差值最大方向上的兩點(diǎn)之間,如果要分析多個(gè)模式,由于電場(chǎng)的變化,需要對(duì)每個(gè)模式定義不同的阻抗線。
與背景相接觸的端口通常定義為波端口,波端口周?chē)J(rèn)為理想導(dǎo)體邊界。
2、集總端口
在模型內(nèi)部的端口通常定義為集總端口,周?chē)J(rèn)為理想磁邊界。
3、磁偏置
當(dāng)創(chuàng)建一個(gè)鐵氧體材料時(shí),必須通過(guò)分配一個(gè)磁偏置來(lái)定義內(nèi)部偏置場(chǎng)。
4、材料設(shè)置:
Relative permittivity 相對(duì)介電常數(shù)
Relative permeability 相對(duì)磁導(dǎo)率
Bulk conductivity 電導(dǎo)率
Dielectric loss tangent 介質(zhì)損耗正切
Magnetic loss tangent 磁損耗正切
Magnetic saturation 磁飽和度
Lande G factor 朗德因子
Delta H 磁共振線寬
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