SI-list【中國】SI-list【中國】HFSSPORT終極解決方案(二)

2016-09-24  by:CAE仿真在線  來源:互聯(lián)網(wǎng)

本文大綱

本文章分三部分:

(一)wave port與lumped port的理解

(二)兩種port的仿真操作用法

(三)S參數(shù)歸一化的問題

說明:這里說的port主要是針對(duì)Ansys的HFSS電磁場全波仿真器




簡單介紹下HFSS:

ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三維電磁仿真軟件;是世界上第一個(gè)商業(yè)化的三維結(jié)構(gòu)電磁場仿真軟件,業(yè)界公認(rèn)的三維電磁場設(shè)計(jì)和分析的電子設(shè)計(jì)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。HFSS提供了一簡潔直觀的用戶設(shè)計(jì)界面、精確自適應(yīng)的場解器、擁有空前電性能分析能力的功能強(qiáng)大后處理器,能計(jì)算任意形狀三維無源結(jié)構(gòu)的S參數(shù)和全波電磁場。HFSS軟件擁有強(qiáng)大的天線設(shè)計(jì)功能,它可以計(jì)算天線參量,如增益、方向性、遠(yuǎn)場方向圖剖面、遠(yuǎn)場3D圖和3dB帶寬;繪制極化特性,包括球形場分量、圓極化場分量、Ludwig第三定義場分量和軸比。使用HFSS,可以計(jì)算:

① 基本電磁場數(shù)值解和開邊界問題,近遠(yuǎn)場輻射問題

② 端口特征阻抗和傳輸常數(shù)

③ S參數(shù)和相應(yīng)端口阻抗的歸一化S參數(shù)

④ 結(jié)構(gòu)的本征?;蛑C振解。

而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer構(gòu)成的ANSYS高頻解決方案,是目前唯一以物理原型為基礎(chǔ)的高頻設(shè)計(jì)解決方案,提供了從系統(tǒng)到電路直至部件級(jí)的快速而精確的設(shè)計(jì)手段,覆蓋了高頻設(shè)計(jì)的所有環(huán)節(jié)?,F(xiàn)在最新的版本應(yīng)該到了ANSYS HFSS 16.




ANSYS workbench

2兩種port的仿真操作用法






1.微帶線下wave port


如圖5所示,首先在背景的表面上畫一個(gè)sheet,也就是長方形,長方形的高度需要為導(dǎo)體與參考平面的6-10倍,寬度大約為導(dǎo)體寬度的5倍左右,以保證wave port足夠的大,能覆蓋到導(dǎo)體周圍的磁力線,減小仿真偏差,另外要保證port能夠同時(shí)接觸到參考平面和導(dǎo)體。

圖5

然后選中剛才所畫的sheet,點(diǎn)擊右鍵選中則“assign excitation”里的“wave port”然后在對(duì)話框里選好參考平面就OK了,見圖6所示。


圖6


2.微帶線下lumped port


如圖7所示,同樣需要畫一個(gè)sheet,不過這個(gè)sheet沒有高度寬度要求,但是它需要一邊接觸導(dǎo)體,一邊接觸參考平面,注意下sheet不要接觸到空氣盒(airbox),不然仿真時(shí)可能會(huì)報(bào)錯(cuò)

圖7


然后選中剛才所畫的sheet,點(diǎn)擊右鍵選中則“assign excitation”里的“l(fā)umped port”然后在對(duì)話框里選好參考平面就OK了,見圖8所示


圖8

3.帶狀線下wave port


如圖9所示,首先在背景的表面上畫一個(gè)sheet,長方形的高度需要為導(dǎo)體與參考平面的6-10倍,寬度大約為導(dǎo)體寬度的5倍左右,以保證wave port足夠的大,能覆蓋到導(dǎo)體周圍的磁力線,另外要保證port能夠同時(shí)接觸到兩個(gè)參考平面和導(dǎo)體。


圖9


然后選中剛才所畫的sheet,點(diǎn)擊右鍵選中則“assign excitation”里的“wave port”然后在對(duì)話框里選好兩個(gè)參考平面就OK了,見圖10所示。


圖10


4.帶狀線下lumped port


帶狀線下lumped port比較特殊點(diǎn),因?yàn)橛袃蓚€(gè)參考平面。最好下port之前將導(dǎo)體內(nèi)縮一點(diǎn)以便下port,也就是說導(dǎo)體的邊界比參考平面稍微短一點(diǎn),然后在參考平面間畫一個(gè)sheet,上下邊必須要同時(shí)接觸到兩個(gè)參考平面 ,如圖11所示,然后選中該sheet點(diǎn)右鍵選擇“assign boundary”里的“Perfect E”設(shè)為理想電邊界。


圖11

接著類似于微帶線下lumped port的做法,再畫一個(gè)sheet,平行于參考平面,且垂直并接觸導(dǎo)體和剛才設(shè)置的理想電邊界,如圖12所示。


圖12


選中剛才所畫的sheet,點(diǎn)右鍵選中則“assign excitation”里的“l(fā)umped port”然后在對(duì)話框里選好參考平面(剛才設(shè)置的理想電邊界)就OK了,如圖13

圖13

未完待續(xù).....


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